Optical Semiconductor Spectroscopy
Wir untersuchen mit optischen Methoden (Reflexion, Photolumineszenz, Absorption, Photoleitung) makroskopische und mikroskopische Halbleiter-Strukturen. Die Messungen finden typischerweise bei Helium-Temperatur statt und erfolgen in einem weiten Spektralbereich vom Infrarot bis UV. Hiermit kann man Informationen über elektronische Eigenschaften, Kristalldefekte, Dotierung, Verspannung etc. bekommen.
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Als Beispiel hier das Spektrum einer ZnO-Probe, die sehr scharfe Dotierstoff-korrelierte Linien in einem sehr engen Spektralbereich zeigt.
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Zur Klärung der Natur der beteiligten elektronischen Zustände machen wir u.a. Messungen in hohen Magnetfeldern („Magneto-Photolumineszenz“) und analysieren die Linienaufspaltungen durch Vergleich mit theoretischen Modellen.