Optical Semiconductor Spectroscopy
Wir untersuchen mit optischen Methoden (Reflexion, Photolumineszenz, Absorption, Photoleitung) makroskopische und mikroskopische Halbleiter-Strukturen. Die Messungen finden typischerweise bei Helium-Temperatur statt und erfolgen in einem weiten Spektralbereich vom Infrarot bis UV. Hiermit kann man Informationen über elektronische Eigenschaften, Kristalldefekte, Dotierung, Verspannung etc. bekommen.
Als Beispiel hier das Spektrum einer ZnO-Probe, die sehr scharfe Dotierstoff-korrelierte Linien in einem sehr engen Spektralbereich zeigt.
Zur Klärung der Natur der beteiligten elektronischen Zustände machen wir u.a. Messungen in hohen Magnetfeldern („Magneto-Photolumineszenz“) und analysieren die Linienaufspaltungen durch Vergleich mit theoretischen Modellen.