TEM-Untersuchung des Wachstums von ZnO auf a-planaren Saphir. Elektronen Feinbereichsbeugung zur Bestimmung der Orientierungsbeziehung zwischen den Kristallen. Anwendung der aberrationskorrigierten HRTEM zur Charakterisierung der Grenzfläche, Zusammenarbeit mit Prof. Thonke (Inst. f. Halbleiterphysik/Quantenmaterie)
Untersuchungen der atomaren Grenzfläche von 2H-AlN auf 6H-SiC. (links) Übersichtsabbildung. (rechts) Atomar aufgelöste Abbildung der Grenzfläche. Die Doppellagenstruktur von AlN und SiC sind erkennbar (Trennung der Säulen von Al/N-Atomen bzw. Si/C-Atomen), Zusammenarbeit mit Prof. Scholz (Inst. für Optoelektronik)
FIB-Strukturierung eines mittels kolloidaler Lithographie hergestellten „Antidot Array“, um später mittels Magnetowiderstands-Messungen das Ummagnetisierungsverhalten lokal zu studieren. Die Auswahl von Bereichen homogener Orientierung der Löcher erfolgt anhand von Interferenzen im Übersichtsbild (links). Servicearbeit für Prof. Ziemann (Institut für Festkörperphysik)